【2023年5月31日18:30-20:00】宋健民博士：由硅晶圆过渡到钻石晶圆——碳基半导体的华山论剑

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【2023年5月31日18:30-20:00】宋健民博士：由硅晶圆过渡到钻石晶圆——碳基半导体的华山论剑_全球最资讯

2023-05-30 03:00:48 来源：面包芯语

报告题目：由硅晶圆过渡到钻石晶圆——碳基半导体的华山论剑

(资料图)

特邀嘉宾：宋健民

报告时间：2023年5月31日星期三（晚）18:30-20:00

报告方式：线上公益报告

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嘉宾介绍

宋健民，1947年出生于中国福建，台湾成长到本科毕业，1974年美国麻省理工学院高压博士毕业，前后任职于美国GE、NortonDiamondFilm、中国砂轮企业股份有限公司（台湾），取得了诸多技术及专利成就。曾协助韩国日进钻石、台湾工业技术研究院、韩国SKC等公司技术升级，被协助单位获益匪浅，取得了明显的经济效益和技术进步。现从事高温高压(HPHT)钻石生长、化学气相沉积(CVD)钻石膜的生长、钻石工具的制造。2009年7月与苑执中博士一起成立台钻科技（郑州）有限公司，合作研发、生产HPHT钻石、CVD钻石、钻石工具。在国内外中英文有关钻石著作十余本，发表有关钻石专业中英文演讲及论文数百次，取得世界各国发明专利共约1000项。

报告摘要

硅晶圆延续摩尔定律已超过60年，芯片由数千个晶体管已密化至百亿以上。其间以HKMG，SOI解决了漏电问题，又以FinFET，GAA解决了电子遂穿问题，现在正走向量产节点只有十个原子宽的3nm制程。但其实硅晶体管在28nm后，主频就受限于热点而不再增加，除此之外，每个晶体管的成本不降反昇。更有甚者，尽管下游的散热技术不断改进，芯片的平均温度已经限制在100℃，不能提高。

硅的大限在它的能隙太小（1.1eV），超过3eV的第三代半导体（SiC，GaN，Ga2O3）现在正大行其道。但这些半导体晶格的对称度不足，所以只能做功率元件，射频晶片。其实第三代半导体不能延续硅晶体管密度的摩尔定律。

本次演讲是务实的以钻石面硅晶圆（SoD）解决晶体管的热点问题，使CPU/NPU的计算主频大幅提高。其次可外延生长成钻石晶圆，这样就可以使目前的硅晶时代进入人类文明巅峰的钻石时代，包括计算速度可以降维打击现行芯片的钻石数位及量子芯片。

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报告题目：由硅晶圆过渡到钻石晶圆——碳基半导体的华山论剑特邀嘉宾：宋健民报告时间：2023年5月31日星期2023-05-30

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